電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商提供可靠性測(cè)試報(bào)告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù),。
傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H,，B2M160120Z,，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M080120R,，B2M018120H,，B2M018120Z，B2M020120Y,，B2M065120H,，B2M065120Z，B2M065120R,，B2M040120H,，B2M040120Z，B2M040120R,，B2M032120Y,，B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,，半橋SiC MOSFET模塊,，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊,，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊,。
B2M032120Y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K,。
B2M040120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,，意法SCT040W120G3-4AG,。
B2M020120Y國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1,，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J,。
B2M065120H國(guó)產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,，安森美NVH4L070N120M3S,，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG,。
B2M160120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌AIMZHN120R160M1T,，AIMZH120R160M1T
B2M080120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌AIMZHN120R080M1T，AIMZH120R080M1T
B2M080120R國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMBG120R078M2H
B2M040120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌AIMZHN120R040M1T,，AIMZH120R040M1T
B2M040120R國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMBG120R040M2H
B2M018120R國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMBG120R022M2H
B2M018120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌AIMZH120R020M1T,，AIMZH120R020M1T
B2M065120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌AIMZHN120R060M1T,，AIMZH120R060M1T
基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關(guān)損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)
• 降低Crss,，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)
• 很大工作結(jié)溫175℃• HTRB,、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測(cè)試
• 優(yōu)化柵氧工藝,，提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì),，降低高溫漏電流
• AEC-Q101
